中国公司突破SOT-MRAM存储技术，实现纳秒级写入与超万亿次擦写

中国公司在SOT-MRAM存储领域取得关键突破，实现了纳秒级写入速度和超万亿次擦写能力。这一技术进展标志着在高速、高密度、低功耗的非易失性存储器研发上迈出了重要一步，有望为数据中心、人工智能等高性能计算场景提供更优的数据存储解决方案。

在近期举行的国际微电子领域权威会议IEDM上，来自中国的浙江驰拓科技宣布了其在自旋轨道矩磁性（Spin-Orbit Torque Magnetic Random Access Memory, SOT-MRAM）技术方面的重大成就，这项创新不仅标志着中国在全球半导体存储技术领域迈出了关键一步，也为未来大规模数据存储提供了新的解决方案。

创新结构：解决大规模生产难题

驰拓科技开发了一种革命性的器件结构，这一设计将磁隧道结（MTJ）直接放置在两个底部电极之间，并支持过刻蚀工艺，这种独特的布局显著简化了制造流程，提高了良率，有效解决了传统SOT-MRAM在大规模生产中面临的挑战，通过这种方式，驰拓科技成功地将12英寸晶圆上的位元良率从99.6%提升至99.9%以上，满足了大规模制造的要求。

性能卓越：高速写入与无限擦写

除了提高生产效率外，驰拓科技的SOT-MRAM还实现了令人瞩目的性能指标，该器件能够以2纳秒的速度完成写入操作，并且可以承受超过万亿次的写入/擦除循环，同时保持持续微缩的潜力，这些特性使得SOT-MRAM成为一种极具吸引力的高性能非易失性存储技术，有望取代现有的CPU各级缓存，从而解决当前SRAM成本高昂和静态功耗过大的问题。

对比图示：传统与创新一目了然

为了更直观地展示其技术创新带来的变化，驰拓科技提供了两张图像进行对比，一张是采用传统方案制造的SOT-MRAM器件，另一张则是采用了驰拓科技创新设计的样品，从图片中可以看出，后者不仅结构更加紧凑高效，而且在实际应用中的表现也更为出色。

展望未来：开启新纪元

随着信息技术不断进步，对于更快、更可靠且成本效益更高的数据存储需求日益增长，驰拓科技此次发布的SOT-MRAM技术无疑为行业注入了一剂强心针，它不仅克服了现有技术在规模化生产上的限制，还展现出了卓越的性能优势，预计在未来几年内，我们将看到更多基于此技术开发的产品出现在市场上，推动整个信息存储领域向前发展。

浙江驰拓科技凭借其在SOT-MRAM领域的突破性进展，再次证明了中国企业在全球高科技竞争中的实力与创新能力，这不仅是对自身实力的一次肯定，也为全球信息技术的发展贡献了一份力量。